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    • 专利摘要:
    本發明係提供一種電極圖案的辨識性低之光穿透性電極。一種將2片光穿透性導電材料重疊而製作之光穿透性電極，該光穿透性導電材料係在光穿透性基材的單面上具有：包括網目狀導電部之大格子11、以及具有至少1個連接格子16且將鄰接之大格子11間予以電性連接之連接部12，2片光穿透性導電材料係使各個連接部12的中心大致呈一致地重疊，且至少一方的光穿透性導電材料在相當於前述重疊而製作時之光穿透性電極的連接部12內及/或由大格子11與連接部12所包圍之部分的位置，具有使細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子31。
    公开号:TW201316384A
    申请号:TW101126754
    申请日:2012-07-25
    公开日:2013-04-16
    发明作者:Takenobu Yoshiki
    申请人:Mitsubishi Paper Mills Ltd；
    IPC主号:G06F3-00
    专利说明:
    光穿透性電極
    本發明係關於觸控面板中所使用之光穿透性電極，尤其關於適合用在投影型靜電電容方式觸控面板之光穿透性電極。
    個人數位助理(PDA：Personal Digital Assistant)、筆記型個人電腦、OA機器、醫療機器、或是車用導航系統等之電子機器中，係在此等顯示器中廣泛地採用觸控面板作為輸入手段。
    觸控面板，因位置偵測方法的不同，而有光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等。電阻膜方式的觸控面板，係構成為夾隔著分隔材將光穿透性導電材料與附有透明導電體層的玻璃對向地配置，使電流於光穿透性導電材料中流通，並測量附有透明導電體層的玻璃中之電壓之構造。另一方面，靜電電容方式的觸控面板，係以在光穿透性基材上具有透明導電體層者為基本構成，其特徵為不具有可動部分，而具有高耐久性及高穿透率，所以可適用在例如車載用途等。
    觸控面板用的透明電極(光穿透性導電材料)，一般係使用於光穿透性基材上形成有由ITO所構成之光穿透性導電膜者。然而，ITO導電膜由於折射率大且光的表面反射大，故存在有總透光率降低之問題，或是由於可撓性低而在彎折時使ITO導電膜產生龜裂而使電阻值增大之問題。
    於基板上形成薄觸媒層，並於其上方形成抗蝕層圖案後，藉由鍍覆法將金屬層積層於抗蝕層開口部，最後再去除抗蝕層及以抗蝕層所保護之底層金屬，而形成導電性圖案來作為具有用以取代ITO之光穿透性導電膜之光穿透性導電材料之半加成方法，例如揭示於專利文獻1、專利文獻2等。
    此外，近年來亦有人提出使用銀鹽擴散轉印法，此係將銀鹽照相感光材料用作為導電性材料前驅物之方法。例如在專利文獻3、專利文獻4、專利文獻5等之中，係揭示有一種使可溶性銀鹽形成劑及還原劑，在鹼液中作用於在光穿透性基材上依序至少具有物理顯影核層與鹵化銀乳劑層之導電性材料前驅物，以形成金屬銀圖案之技術。依據該方式所進行之圖案形成，除了可重現均一的線寬之外，由於銀的導電性在金屬中最高，所以與其他方式相比，能夠以更細的線寬來得到高導電性，所以可得到總透光率高且低電阻之光穿透性導電材料。此外，藉由該方法所得之光穿透性導電材料，乃具有可撓性較ITO導電膜更高，可承受彎折之優點。
    採用投影型靜電電容方式之觸控面板，係藉由將2片之在同一平面上形成有複數個電極的圖案之光穿透性導電材料貼合，來製造出觸控感測器。觸控面板通常是操作者凝視畫面來進行操作，所以當具有總透光率不同之部分時，會有電極圖案映入於眼睛(辨識性高)之問題。靜電電容方式中，由於將橫向上排列配置有電極之光穿透性材料與縱向上排列配置有電極之光穿透性材料重疊來使用，所以無論如何會在上下方的電極產生重疊，而具有重疊部分之總透光率降低，電極圖案映入於眼睛(辨識性高)之問題。此外，投影型靜電電容方式的觸控面板中，一般是採用交互地重複配置：電極由相對大型的正方形或菱形等所構成之主電極部、與將鄰接之主電極部予以電性連接之面積較小的連接部之構造而構成者，並以使面積較小的連接部重疊之方式來重疊配置2片光穿透性導電材料，以縮小總透光率不同之部分的面積，但此仍未達到可充分滿足之程度，仍需要求進一步的改善。
    對於此問題，例如在專利文獻6或專利文獻7等之中，係揭示有一種以鋸齒狀排列配置有中格子之導電薄片，該中格子具有構成成為主電極之大格子之小格子的n倍間距。然而，當採用該技術時，雖可改善於上下方的電極間所產生的重疊，但在上下方的電極之頂點部上，會產生不存在圖案之微小點，而在觸控面板的畫面上產生起伏感，仍需要求進一步的改善。 [先前技術文獻] (專利文獻)
    專利文獻1：日本特開2007-287994號公報
    專利文獻2：日本特開2007-287953號公報
    專利文獻3：日本特開2003-77350號公報
    專利文獻4：日本特開2005-250169號公報
    專利文獻5：日本特開2007-188655號公報
    專利文獻6：日本特開2011-129501號公報
    專利文獻7：日本特開2011-113149號公報
    本發明之課題在於提供一種適合作為使用投影型靜電電容方式之觸控面板的光穿透性電極，且電極圖案的辨識性低(觸控面板的使用者不易看到電極圖案)之光穿透性電極。
    本發明之上述課題可藉由下述發明來達成。
    (1)一種光穿透性電極，係將2片光穿透性導電材料重疊而製作者，該光穿透性導電材料係在光穿透性基材的單面上具有：包括網目狀導電部之大格子、以及具有至少1個連接格子且將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部，2片光穿透性導電材料係使各個連接部的中心大致呈一致地重疊，且至少一方的光穿透性導電材料在相當於前述重疊而製作時之光穿透性電極的連接部內及/或由大格子與連接部所包圍之部分的位置，具有使細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子。
    (2)一種光穿透性電極，係在光穿透性基材的雙面上具有：包括網目狀導電部之大格子、以及具有至少1個連接格子且將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部，其使一方的面所具有之連接部的中心與另一方的面所具有之連接部的中心大致呈一致地配置，且在相當於至少一方的面上之連接部內及/或由大格子與連接部所包圍之部分的位置，具有使細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子。
    (3)如上述(1)所述之光穿透性電極，其中，上述2片光穿透性導電材料所具有之各個連接部的大小為不同，且大小不同之連接部的形狀呈大致相似形狀。
    (4)如上述(2)所述之光穿透性電極，其中，光穿透性基材之一方的面與另一方的面所具有之連接部的大小為不同，且大小不同之連接部的形狀呈大致相似形狀。
    (5)如上述(1)或(2)所述之光穿透性電極，其中，上述包括網目狀導電部之大格子、與具有細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，為1%以內。
    (6)如上述(1)或(2)所述之光穿透性電極，其中，上述大格子是由複數個單位格子所構成，該單位格子的細線間隔為斷線格子的細線間隔之80至120%。
    藉由本發明，可提供一種適合作為使用投影型靜電電容方式之觸控面板的光穿透性電極，且電極圖案的辨識性低(觸控面板的使用者不易看到電極圖案)之光穿透性電極。
    首先詳細說明將2片光穿透性導電材料重疊而製作之光穿透性電極，該光穿透性導電材料係在光穿透性基材上的單面，具有：包括網目狀導電部之大格子、以及具有至少1個連接格子且將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部。
    第1圖(a)至(c)係顯示將2片光穿透性導電材料重疊所製作出之本發明的光穿透性電極所具有之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(a)顯示一方的光穿透性導電材料所具有之大格子與連接部之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(b)顯示另一方的光穿透性導電材料所具有之大格子與連接部之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(c)顯示將具有第1圖(a)與第1圖(b)的電極圖案之光穿透性導電材料，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖。
    第1圖(a)中，大格子11與連接部12係設置在光穿透性基材1a上，包括網目狀導電部之大格子11，藉由將大格子11間予以電性連接之連接部12，而在縱向上連接。另一方面，第1圖(b)中，設置在光穿透性基材1b上之包括網目狀導電部之大格子11，藉由將大格子11間予以電性連接之連接部12，而在橫向上連接。本發明的光穿透性電極中，具有第1圖(a)之大格子11與連接部12的重複電極圖案之光穿透性導電材料3a、與具有第1圖(b)之大格子11與連接部12的重複電極圖案之光穿透性導電材料3b，係使各個電極圖案的朝向呈正交且使各個連接部的中心大致呈一致地重疊，如此可得到適合於採用投影型靜電電容方式之觸控面板之光穿透性電極。第1圖(c)係顯示將光穿透性導電材料3a與3b重疊之狀態。
    第2圖(a)、(b)中，大格子11係藉由將複數個單位格子20配置為網目狀而構成。單位格子20的形狀，例如可列舉出組合有正三角形、二等邊三角形、直角三角形等之三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等之四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等之(正)n角形；圓、橢圓、星形等之形狀，此外，可列舉出此等形狀的單獨重複，或是2種以上的複數種形狀之組合。藉由組合複數個此等單位格子20，來形成包括網目狀導電部之大格子11。當中，單位格子20的形狀較佳為正方形或菱形，此外，單位格子20較佳係與大格子11之外輪廓部的形狀大致呈相似形狀。在此所謂大致呈相似形狀，如後所述，亦包含當藉由連接部12將大格子11間予以電性連接時，即使是連接部12侵入於大格子11中之形態，若由該侵入所伴隨之大格子11之外側部的形狀無變化，則形狀亦為相似之情形。
    單位格子20的細線寬度較佳為20μm以下，更佳為1至10μm。此外，單位格子20的細線間隔較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。再者，由單位格子20所構成之大格子11的開口率，較佳為85%以上，更佳為88至97%。所謂單位格子20的細線寬度，例如當單位格子20為正方形時，是指構成該正方形之邊的寬度，所謂單位格子20的細線間隔，例如當單位格子20為正方形時，是指相對向之邊與邊之間的距離。所謂大格子11的開口率，是指相對於構成大格子之全部單位格子的合計面積(包含細線部)而言，從該合計面積扣除細線部(參照第4圖中的符號4)後之部分的面積所佔之比率。
    如第2圖(a)所示，本發明中連接部12可僅由連接格子16所構成，或是如第2圖(b)所示，可由連接格子16與附屬於該連接格子16之鄰接格子17所構成。為了說明，第2圖(e)為僅擷取第2圖(a)的連接部12之圖，第2圖(f)為僅擷取第2圖(b)的連接部12之圖。第2圖(e)中，連接部12僅由連接格子16所構成，第2圖(f)中，連接部12由1個連接格子16與2個鄰接格子17所構成。本發明中，如此將鄰接之大格子11予以電性連接之部分並且為不屬於由單位格子20所構成之大格子11之部分，均設定為屬於連接部12。
    接著說明連接格子16。連接格子16的形狀，例如可列舉出組合有正三角形、二等邊三角形、直角三角形等之三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等之四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等之(正)n角形；圓、橢圓、星形等之形狀，此外，可列舉出此等形狀的單獨重複，或是2種以上的複數種形狀之組合。當中較佳為正方形或菱形。再者，連接格子16的形狀，較佳亦與前述大格子11大致呈相似形狀。
    本發明中，2片光穿透性導電材料，係使各個連接部12的中心大致呈一致地重疊。第2圖(a)及第2圖(b)中，連接部的中心點15係存在於連結由連接部12而形成電性連接之鄰接之2個大格子11與11之線13上，且最佳係位於鄰接之2個大格子11與11之中心點14的中間。此外，連接部的中心點15，若為構成大格子11之單位格子20之一邊的長度之20%以下的距離，較佳為10%以下的距離，則亦可從鄰接之2個大格子11與11之中心點14的中間位置中偏移。本發明中，將此記載為大致呈一致。
    連接格子16之一邊的長度，較佳位於構成大格子11之單位格子20之一邊的長度的n倍(n為整數)之95至105%的範圍。如第2圖(c)所示，重疊2片光穿透性導電材料時，當連接格子16之一邊的長度較鄰接之2個大格子11與11間之距離18、19更大時，例如為第2圖(a)的情形時，乃成為連接格子16侵入於大格子11之形態，而在鄰接之大格子11中，使與所侵入之連接格子16重疊之部分的單位格子被消除。另一方面，當連接格子16之一邊的長度為鄰接之2個大格子11與11間之距離18、19以下時，例如為第2圖(b)的情形時，以接觸於連接格子16之形式來設置鄰接格子17者，亦成為本發明之較佳形態。鄰接格子17較佳係成為將單位格子20的一邊設為m倍，另一邊設為n倍(m、n為整數，m與n可為相等或不等)之形式。鄰接格子17之一邊的長度，較佳位於構成大格子11之單位格子20的n倍(n為整數)之95至105%的範圍。如第2圖(b)所示，當連接格子16之一邊的長度為鄰接之2個大格子11與11間之距離18、19以下時，乃成為鄰接格子17侵入於大格子11之形態，使與鄰接格子17重疊之部分之構成大格子11之單位格子20被消除。連接格子16與鄰接格子17的細線寬度較佳為20μm以下，尤佳為1至10μm，更佳為單位格子20的細線寬度之1至2倍。此外，亦可使連接格子16與鄰接格子17的僅有一邊或連接格子16與鄰接格子17之一邊的一部分，提高該線寬。
    如前所述，第2圖(c)係顯示將第2圖(a)與第2圖(b)的電極圖案，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖。來自第2圖(a)之連接格子16與來自第2圖(b)之連接格子16的中心點15，係以構成大格子11之單位格子20之一邊的長度之20%以下的偏離，較佳為10%以下的偏離，大致呈一致地重疊。來自第2圖(a)之連接格子16與來自第2圖(b)之連接格子16的大小不同，但本發明中，如此重疊之2個連接格子的大小，較佳為不同。藉此更能夠降低重疊之電極圖案的辨識性(使觸控面板的使用者不易看到電極圖案)。
    如前所述，將具有第1圖(a)與第1圖(b)的電極圖案之光穿透性導電材料3a與3b，使連接部12的中心大致呈一致地重疊時之電極圖案(第1圖(c)中，由大格子11與連接部12所包圍之部分成為空白部分。第2圖(g)係顯示將第1圖(c)的一部分擴大之圖，此外，第2圖(c)係顯示將第2圖(g)的一部分擴大之圖(參考第2圖(c)與第2圖(g)的符號21)。當存在該由大格子11與連接部12所包圍之空白部分21時，該空白部分的總透光率會變成大格子11的總透光率，而容易變得顯眼，無法得到電極圖案的辨識性低之光穿透性電極。
    第3圖(a)係顯示將斷線格子設置在第2圖(c)的電極圖案之一例之圖，第3圖(b)與第3圖(d)顯示將斷線格子設置在第2圖(a)的電極圖案之不同例子之圖，第3圖(e)與第3圖(g)顯示將斷線格子設置在第2圖(b)的電極圖案之不同例子之圖。第4圖係擴大顯示由斷線格子所構成之非導電部之圖。
    本發明之光穿透性電極中，由複數個單位格子20所構成之大格子11與由複數個斷線格子31所構成之非導電部之開口率的差，較佳為1%以內，尤佳為0.78%以內，特佳為0.5%以內。本發明中所謂開口率，係如段落[0018]所定義者，換言之是指相對於特定部分(例如由複數個單位格子20所構成之大格子11或是由複數個斷線格子31所構成之非導電部)的合計面積而言，不具有金屬部之部分的面積所佔之比率。例如，為了得到第3圖(a)的電極圖案，係組合第3圖(b)與第3圖(c)的電極圖案，第3圖(b)中，形成有由2個大格子11(導電部)、與4個由複數個斷線格子31所構成之部分(非導電部)所構成之圖案，第3圖(c)中，形成有由2個大格子11(導電部)所構成之圖案。由複數個單位格子20所構成之大格子11(導電部)的開口率，可依據如段落[0018]所定義者來求取。此外，由複數個斷線格子31所構成之非導電部的開口率，可依據如下所說明者來求取。
    所謂斷線格子，是指構成格子之細線呈斷線者。第4圖中，係以使構成單位格子20之細線部4鄰接於呈連續的導電部之方式，使由呈斷線的細線部5所構成之斷線格子31存在，藉此形成非導電部6。該非導電部6的開口率，是指相對於包含呈斷線的細線部5之非導電部6的面積而言，從該非導電部6的面積扣除呈斷線的細線部5之部分的面積所佔之比率。
    此外，與非導電部的開口率之差為1%以內之大格子11的面積和，較佳係佔全部大格子11的面積和之80%以上，此外，與導電部的開口率之差為1%以內之非導電部的面積和，較佳係佔全部非導電部的面積和之80%以上。再者，尤佳為全部大格子11的開口率為相等，且全部非導電部的開口率為相等。惟上述開口率的計算中，係扣除電極圖案中所任意設置之標誌部分等。
    當大格子11與非導電部中採用相同形狀的單位格子，且將斷線格子設置在非導電部時，由於斷線格子是由呈斷線的細線部所構成，所以開口率是以非導電部者較高。為了將大格子11與非導電部之開口率的差控制在1%以內，係可採用減少非導電部之斷線部分的比率，來抑制斷線部引起之開口部的面積率的上升之方法，或是改變大格子11與非導電部之單位格子20的形狀，而令大格子11使用具有較高開口率之單位格子20之圖案，來補償因採用斷線格子31所帶來之開口率的上升之方法等。
    斷線格子31(第3圖中以虛線來顯示)，是由線的一部分呈電性斷線之細線部5所構成，只要以不將大格子11彼此、或連接部12彼此、或大格子11與連接部12予以電性連接之方式來形成斷線部，則可形成任意的斷線部。斷線的程度，與斷線部的長度無關，係以每1個斷線格子中斷線部所存在之個數作為比率而算出，並將此設為斷線的程度。此外，當斷線部遍及複數個斷線格子而存在時，斷線部的個數，是以共有之斷線格子的個數除上該斷線部來計算。再者，當斷線部未均等地存在於全部的單位圖形時，係以含有斷線部之單位圖形所重複存在的最小單位來進行平均後之斷線的程度，作為該非導電部之斷線的程度。
    第15圖係說明斷線的程度之圖，第15圖(a)顯示無斷線部之網目狀電極圖案之圖，第15圖(b)至(d)顯示斷線程度不同之網目狀電極圖案的其他例子之圖。第15圖(a)由於是無斷線部之網目狀電極圖案，所以該斷線程度為0%。第15圖(b)中，斷線部51雖於單位圖形(正方形)上存在有2個，然而由於該斷線部51為2個單位圖形所共有，所以每個單位圖形中為1/2個，斷線的程度為(1/2)×2=100%。第15圖(c)中，由於斷線部51為4個單位圖形所共有，所以每個單位圖形中為1/4個，且由於斷線部51存在於單位圖形的角落4處，所以斷線的程度為(1/4)×4=100%。此外，例如在第15圖(d)中，雖然形成有由5×5之正方形的單位圖形所構成之網目狀電極圖案，但斷線部51於所有單位圖形中並不相同，而成為以第15圖(d)的粗線所包圍之正方形部分52的重複構造。此時，對於由4個單位圖形所構成之正方形部分52，1/4個斷線部有4個以及1個斷線部有1個，所以斷線的程度為((1/4)×4+1×1)÷4=50%。第16圖係同樣地說明斷線的程度之圖，是由具有相同斷線圖案之正方形的單位圖形所構成之正方形部分53的重複構造。此時之斷線的程度為(1/4×4+1/2×12+1×15)÷64=34.375%。
    本發明中，非導電部之斷線的程度較佳為20%以上。此外，非導電部的薄片電阻，以依據JIS K7134的四端子法(端子間隔5mm)進行測定時之值計，較佳為10kΩ/□以上，尤佳為1MΩ/□以上，更佳為1GΩ/□以上，以位於所謂的絕緣體之區域者為佳。
    非導電部所具有之斷線格子31的細線寬度(第4圖中呈斷線之細線部5的寬度)較佳為20μm以下，更佳為1至10μm。此外，斷線格子31的細線間隔(參考第4圖的符號L)較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。斷線格子31之斷線部分(參考第4圖的符號D1、D2)的長度，較佳為30μm以下，更佳為15μm以下。斷線部可與細線呈直交地斷線，或是斜向地斷線。此外，前述單位格子20的細線間隔，較佳為斷線格子31的細線間隔之80至120%。再者，當將2片光穿透性導電材料重疊時，大格子11的開口率、連接部12的開口率及斷線格子31的開口率之彼此間的差，較佳均位於1%以內。
    將2片光穿透性導電材料重疊時，可得到前述第3圖(a)般的電極圖案者，係有多數種方法。用以得到此般電極圖案之例子，例如可列舉出大致呈一致地重疊第3圖(b)與第3圖(c)般的電極圖案，或是大致呈一致地重疊第3圖(d)與第3圖(e)，或是大致呈一致地重疊第3圖(f)與第3圖(g)之方法。如此等例子所示，斷線格子31較佳係以斷線格子彼此不會重疊之方式，且在將2片光穿透性導電材料重疊時以構成大格子11之單位格子20的95至105%之大小，來形成含有斷線部之格子(斷線格子)。
    第5圖(a)至(c)係顯示具有鄰接格子之電極圖案的一例之圖，為了使說明更易了解，並未顯示出斷線格子。第5圖(a)係顯示將鄰接格子17a設置在第2圖(a)的電極圖案之一例之圖，第5圖(b)顯示將鄰接格子17b設置在第2圖(b)的電極圖案之一例之圖，此外，第5圖(c)顯示將第5圖(a)與第5圖(b)的電極圖案，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖。如此等圖中所能夠觀看般，鄰接格子係用以使連接部12以複數個路徑將鄰接之2個大格子11予以電性連接而設置。因此，鄰接格子較佳係以接觸於連接格子16與其他鄰接格子之方式，或是接觸於連接格子16與大格子11之方式，或是接觸於其他鄰接格子與另外的其他鄰接格子之方式來設置。此外，鄰接格子，亦可以侵入於連接格子16或其他鄰接格子之中之方式來設置。第5圖(d)係為了說明而僅擷取第5圖(a)的連接部12來顯示之圖。如第5圖(d)所示，鄰接格子17a為171至176為止的合計6個。鄰接格子171以接觸於大格子11(未圖示)與鄰接格子172之方式來設置。鄰接格子172以接觸於鄰接格子171、大格子11(未圖示)及鄰接格子173之方式來設置。鄰接格子173與鄰接格子174，藉由整合2個本身來構成連接格子16，此等以鄰接於大格子11(未圖示)與分別鄰接之鄰接格子172、175之方式來設置。鄰接格子175以接觸於鄰接格子174、大格子11(未圖示)及鄰接格子176之方式來設置。鄰接格子176以接觸於鄰接格子175及大格子11(未圖示)之方式來設置。
    如重疊第5圖(a)的電極圖案與第5圖(b)的電極圖案之第5圖(c)的電極圖案所示，較佳係使設置於1片電極圖案之鄰接格子17a與設置於另1片電極圖案之鄰接格子17b不會相互重疊。此係由於當電極圖案重疊時，重疊部分的總透光率會降低，使電極圖案整體容易映入於眼睛之故。鄰接格子17a與17b的細線寬度與細線間隔，較佳係位於與段落[0018]所記載之單位格子相同之範圍。
    第6圖(a)至(c)係顯示將斷線格子加入於第5圖(a)至(c)的電極圖案之電極圖案的一例之圖。藉由重疊第6圖(a)的電極圖案與第6圖(b)的電極圖案，可製作出所有的線均不會重疊之電極圖案第6圖(c)。
    第7圖(a)至(c)係顯示光穿透性導電材料為2片之本發明之光穿透性電極的3個不同例子的概略剖面圖。本發明之光穿透性電極100a至100c，係夾隔著黏著劑層2來重疊2片光穿透性導電材料3而製作。1為光穿透性基材。構成黏著劑層2之黏著劑，可使用一般所知的黏合劑，例如丙烯酸系黏合劑、胺基甲酸酯系黏合劑，或是熱可塑性樹脂，例如EVA或PVB、胺基甲酸酯系熱熔黏著劑，或是熱硬化性樹脂，例如環氧樹脂或熱硬化性胺基甲酸酯樹脂、紫外線硬化型樹脂，例如丙烯酸系紫外線硬化樹脂、環氧系紫外線硬化樹脂等之一般所知者。關於將光穿透性導電材料3重疊之朝向，可採用：如第7圖(a)所示，使光穿透性導電材料3的裏側(無導電部61之面)與表側(具有導電部61之面)相面對，或是如第7圖(b)所示，使光穿透性導電材料3的裏側與裏側相面對，或是如第7圖(c)所示，使光穿透性導電材料3的表側與表側相面對之任一種形式。
    本發明之光穿透性導電材料中所使用之光穿透性基材，較佳可使用塑膠、玻璃、橡膠、陶瓷等。此等光穿透性基材，較佳為總透光率60%以上的光穿透性基材。塑膠當中，具有可撓性之樹脂薄膜，就處理性佳之觀點來看，可較佳地使用。用作為光穿透性基材之樹脂薄膜的具體例，可列舉出由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、矽氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、二乙酸酯樹脂、三乙酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚氯乙烯、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀聚烯烴樹脂等所構成之樹脂薄膜，其厚度較佳為50至300μm。於光穿透性基材上，可設置易黏著層等之一般所知的層。此外，於光穿透性基材上，亦可設置物理顯影核層等之一般所知的層。
    導電部61，較佳是金屬，特佳是由金、銀、銅、鎳、鋁、及此等的複合材所構成。形成此等導電部61之方法，可使用：使用銀鹽感光材料之方法、使用同一方法且進一步對所得之銀圖像施以無電解鍍覆或電解鍍覆之方法；使用網版印刷法來印刷銀膏等之導電性油墨之方法；藉由噴墨法來印刷銀油墨等之導電性油墨之方法；以無電解鍍覆等來形成由銅等的金屬所構成之導電性層之方法；或是藉由蒸鍍或濺鍍等來形成導電性層，並於其上形成抗蝕膜，然後進行曝光、顯影、蝕刻、抗蝕層去除而得之方法；貼合銅箔等之金屬箔，然後於其上形成抗蝕膜，然後進行曝光、顯影、蝕刻、抗蝕層去除而得之方法等之一般所知的方法。當中，較佳為可薄化導電部61的厚度，且容易使導電部61的線寬達到細微化之銀鹽擴散轉印法。銀鹽擴散轉印法，例如有記載於日本特開2003-77350號公報和日本特開2005-250169號公報者。以此等手法所製作之導電部61的厚度，過薄時，難以確保作為觸控面板所需之導電性。因此，其厚度較佳為0.05至5μm，尤佳為0.1至1μm。
    本發明中，光穿透性導電材料3，除了光穿透性基材1與位於其上之導電部61之外，亦可在電極圖案上(離光穿透性基材1較遠之一側)設置硬膜層、抗反射層、黏著層、防眩層等之一般所知的層，或是於光穿透性基材1上，在與電極圖案為相反之一側設置此等層。
    接著說明在光穿透性基材的雙面上，製作具有包括網目狀導電部之大格子、以及將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部，並且使表裏的連接部相重疊之方式所設置之光穿透性電極。
    第8圖係顯示本發明之光穿透性電極的其他例子之概略剖面圖，是光穿透性導電材料為1片之例子。本發明之光穿透性電極100d，可使用與重疊前述2片光穿透性導電材料所製作之光穿透性電極(以下記載為2片者)所具有之光穿透性基材為相同的光穿透性基材作為光穿透性基材1。光穿透性基材1，與2片者相同，可設置物理顯影核層、易黏著層、黏著劑層等之一般所知的層。
    第8圖中，導電部71、72較佳是金屬，特佳是由金、銀、銅、鎳、鋁、及此等的複合材所構成。形成此等導電部71之方法，可使用與前述導電部61相同之方法。此外，當中較佳為可薄化導電部71、72的厚度，且容易使導電部71、72的線寬達到細微化之銀鹽擴散轉印法。然而，與2片者不同的是，在光穿透性導電材料為1片之單片者中，必須在光穿透性基材的雙面上設置導電部，可藉由上述銀鹽擴散轉印法來製作單面的導電部71，接著以相同方法或是其他一般所知的方法來設置剩下另一面的導電部72，藉此在雙面上設置導電部。尤其在步驟中具有曝光步驟之製造方法中，例如藉由蒸鍍或濺鍍等來形成導電性層，並於其上形成抗蝕膜，然後進行曝光、顯影、蝕刻、抗蝕層去除而得之方法；貼合銅箔等之金屬箔，然後於其上形成抗蝕膜，然後進行曝光、顯影、蝕刻、抗蝕層去除而得之方法；使用銀鹽感光材料之方法；使用黑白銀鹽照相法之方法等之中，進行曝光時，可使用銷針(pin bar)來提高上下面的相對位置精度，故較佳。以此等手法所製作之導電部71、72的厚度，過薄時，難以確保作為觸控面板所需之導電性。因此，其厚度較佳為0.05至5μm，尤佳為0.1至1μm。
    第8圖之光穿透性電極100d，除了光穿透性基材1與位於其上之導電部71、72之外，亦可在電極圖案上(離光穿透性基材1較遠之一側)設置硬膜層、抗反射層、黏著層、防眩層等之一般所知的層。 實施例
    以下係使用實施例來詳細地說明本發明，但本發明並不限定於下述實施例。 <實施例1>
    使用厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為光穿透性基材。該光穿透性基材的總透光率為91%。
    接著依據下列配方來製作出物理顯影核層塗佈液，將其塗佈於光穿透性基材上並進行乾燥而設置物理顯影核層。 <硫化鈀溶膠的調製>
    一邊攪拌A液與B液並混合，於30分鐘後通過充填有離子交換樹脂之管柱而得硫化鈀溶膠。 <物理顯影核層塗佈液的調製/光穿透性基材的每1m2>
    接著從接近光穿透性基材開始，依序將下列組成的中間層、鹵化銀乳劑層、及保護層塗佈於上述物理顯影核層上，進行乾燥而得銀鹽感光材料1。鹵化銀乳劑，可藉由照相用鹵化銀乳劑之一般的雙噴射混合法來製造。該鹵化銀乳劑係以氯化銀95莫耳%與溴化銀5莫耳%，調製成平均粒徑為0.15μm。將如此得到之鹵化銀乳劑，依循既定方法，使用硫代硫酸鈉與四氯金酸來施以硫化金增感。如此得到之鹵化銀乳劑，每1g的銀係含有0.5g的明膠。 <中間層組成/光穿透性基材的每1m2>

    <鹵化銀乳劑層組成/光穿透性基材的每1m2>
    <保護層組成/光穿透性基材的每1m2>
    首先分別製備：為具有第1圖(a)的電極圖案之穿透圖稿，且在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第9圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第9圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A1；以及為具有第1圖(b)的電極圖案之穿透圖稿，且在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第9圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第9圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B1。
    於穿透圖稿A1及B1中，大格子11是由以一邊的長度為0.25mm的正方形所構成之單位格子20來構成，大格子11是一邊的長度為5mm的正方形，此等大格子11及單位格子20是由寬度7μm的細線所構成。此外，斷線格子31是一邊的長度為0.25mm的正方形(參考第4圖的符號S)，斷線格子31是由寬度8μm的細線所構成。斷線格子31，每隔67.5μm(參考第4圖的符號P)具有10μm的斷線部(參考第4圖的符號D1)。該斷線格子31中，相當於第4圖的符號D2之斷線部的長度為10μm。
    如第9圖(a)所示，穿透圖稿A1的連接部12僅由一邊的長度為1mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16所構成。另一方面，第9圖(b)所示之穿透圖稿B1的連接部12，是由一邊的長度為0.5mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16、以及形成同樣的正方形狀之2個鄰接格子17所構成。
    使以上述方式得到之銀鹽感光材料1之具有鹵化銀乳劑層之該側的面，與穿透圖稿A1之具有電極圖案之該側的面密著，並採用以水銀燈為光源之密著印表機，經由可濾除400nm以下的波長光之樹脂濾光片來進行曝光。此外，使銀鹽感光材料1之具有鹵化銀乳劑層之該側的面，與穿透圖稿B1之具有電極圖案之該側的面密著，並同樣地進行曝光。關於後述實施例及比較例，曝光時所密著之面亦與實施例1相同。
    然後，在20℃中浸漬於下列擴散轉印顯影液中60秒之後，接著在40℃的溫水中進行水洗以去除鹵化銀乳劑層、中間層、及保護層。而得到具有與A1相同的電極圖案之作為銀圖案之光穿透性導電材料1a，並且在40℃的溫水中進行水洗以去除鹵化銀乳劑層、中間層、及保護層。而得到具有與B1相同的電極圖案之作為銀圖案之光穿透性導電材料1b。所得之光穿透性導電材料的線寬、線間隔，於穿透圖稿A1及B1中完全相同，所得之光穿透性導電材料1a及1b中，大格子11的開口率為94.5%。另一方面，上述穿透圖稿A1及B1中，斷線部係存在有斷線程度約600%的斷線格子、700%的斷線格子、及800%的斷線格子，此等各斷線格子的開口率分別為94.5%、94.6%及94.7%。因此，本實施例之包括網目狀導電部之大格子，與具有細線的一部分呈斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，最大亦為0.2%。 <擴散轉印顯影液組成>
    將全量溶解於1000ml的水，將pH調整至12.2。
    使用MHM-FW25(日榮化工股份有限公司製的無基材雙面黏著膠帶)，以使連接部12的中心呈一致之方式，將所得之光穿透性導電材料1a及1b貼合以使光穿透性導電材料的朝向成為如第7圖(a)所示者，而得光穿透性電極1。第9圖(e)係顯示在光穿透性電極1中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案的擴大圖。此外，第9圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案的擴大圖。 <實施例2>
    使用：在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第10圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第9圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A2；以及在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第10圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第9圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B2，除此之外，其他與實施例1相同而得光穿透性電極2。
    於穿透圖稿A2及B2中，單位格子20及斷線格子31具有與穿透圖稿A1及B1的單位格子20及斷線格子31為相同之線寬、線間隔、斷線部。
    穿透圖稿A2的連接部12，是由一邊的長度為0.5mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16，以及形成同樣的正方形狀之2個鄰接格子17所構成。穿透圖稿B2的連接部12，是由一邊的長度為0.5mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16，以及形成同樣的正方形狀之2個鄰接格子17所構成。此外，第10圖(c)係顯示在光穿透性電極2中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案，第9圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案的擴大圖。本實施例之包括網目狀導電部之大格子，與具有細線的一部分呈斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，係與實施例1相同。 <實施例3>
    使用：在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第11圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第11圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A3；以及在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第11圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第11圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B3，除此之外，其他與實施例1相同而得光穿透性電極3。
    於穿透圖稿A3及B3中，單位格子20及斷線格子31具有與穿透圖稿A1及B1的單位格子20及斷線格子31為相同之線寬、線間隔、斷線部。
    穿透圖稿A3的連接部12，是由一邊的長度為0.25mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16，以及與該連接格子16鄰接之2個一邊為0.5mm的正方形(線寬7μm)鄰接格子17所構成。另一方面，穿透圖稿B3的連接部12，僅由一邊的長度為0.75mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16所構成。此外，第11圖(e)係顯示在光穿透性電極3中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案，第11圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案。本實施例之包括網目狀導電部之大格子，與具有細線的一部分呈斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，係與實施例1相同。 <實施例4>
    使用：在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第12圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第12圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A4；以及在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第12圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第12圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B4，除此之外，其他與實施例1相同而得光穿透性電極4。
    於穿透圖稿A4及B4中，單位格子20及斷線格子31具有與穿透圖稿A1及B1的單位格子20及斷線格子31為相同之線寬、線間隔、斷線部。
    穿透圖稿A4的連接部12，是由一邊的長度為0.75mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16(由3個0.25mm×0.75mm的長方形鄰接格子(線寬7μm)所構成)，及與該連接格子16鄰接之2個一邊的長度為0.5mm的正方形鄰接格子17(線寬7μm)，及接觸於該鄰接格子與連接格子之2個0.25mm×0.5mm的鄰接格子，以及鄰接於該鄰接格子之2個0.25mm×0.25mm的鄰接格子所構成。另一方面，穿透圖稿B4的連接部12，是由一邊的長度為1.25mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16(由2個0.5mm×1.25mm的長方形(線寬7μm)與1個0.25mm×1.25mm的長方形(線寬7μm)所構成)，以及將連接格子16與大格子11予以電性連接之8個一邊的長度為0.25mm的正方形鄰接格子17(線寬7μm)所構成。此外，第12圖(e)係顯示在光穿透性電極4中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案，第12圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案。本實施例之包括網目狀導電部之大格子，與具有細線的一部分呈斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，係與實施例1相同。 <比較例1>
    使用：在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第13圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第13圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A5；以及在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第13圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第13圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B5，除此之外，其他與實施例1相同而得比較例1之光穿透性電極。
    於穿透圖稿A5及B5中，單位格子20具有與穿透圖稿A1及B1的單位格子20為相同之線寬、線間隔。
    穿透圖稿A5、B5的連接部12，係以鋸齒狀來配置一邊的長度為0.5mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16而成。第13圖(e)係顯示在比較例1之光穿透性電極中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案。此外，第13圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案。 <比較例2>
    使用：在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第14圖(a)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第14圖(c)的電極圖案之穿透圖稿A6；以及在大格子11與連接部12形成電性連接之部分具有第14圖(b)的電極圖案，在大格子11與連接部12未形成電性連接之部分具有第14圖(d)的電極圖案之穿透圖稿B6，除此之外，其他與實施例1相同而得比較例2之光穿透性電極。
    於穿透圖稿A6及B6中，單位格子20具有與穿透圖稿A1及B1的單位格子20為相同之線寬、線間隔。
    穿透圖稿A6、B6的連接部12，係以鋸齒狀來配置一邊的長度為0.5mm的正方形(線寬7μm)之連接格子16而成。第14圖(e)係顯示在比較例2之光穿透性電極中，大格子11與連接部12形成電性連接之電極圖案。此外，第14圖(f)係顯示大格子11與連接部12未形成電性連接之電極圖案。
    藉由目視方式來評估，以上述方式得到之本發明之光穿透性電極1至4、以及比較例1、2之光穿透性電極的辨識性。以可明顯地看到電極圖案者為1，稍微觀看時可看到電極圖案者為2，仔細觀看時才可看到電極圖案者為3，未認真凝視時無法看到電極圖案者為4，完全無法看到電極圖案者為5。第1表係顯示該評估結果。當然，為了達成本發明之目的，第1表的數字愈大者愈佳。
    從第1表的結果中，可得知本發明之光穿透性電極，其電極圖案的辨識性低。 <實施例5>
    使用實施例1中所使用之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為光穿透性基材。
    接著製作出實施例1中所使用之物理顯影核層塗佈液，將此塗佈於光穿透性基材上並進行乾燥而設置物理顯影核層。
    接著從接近光穿透性基材開始，依序將實施例1中所使用之中間層、鹵化銀乳劑層、及保護層塗佈於上述物理顯影核層上，進行乾燥而得銀鹽感光材料。
    藉由銷針將如此得到之銀鹽感光材料與穿透圖稿A1固定並密著，並藉由以水銀燈為光源之密著印表機，經由僅讓254nm的光穿透之光學濾光片來進行曝光。
    然後，在20℃中浸漬於實施例1中所使用之擴散轉印顯影液中60秒之後，接著在40℃的溫水中進行水洗以去除鹵化銀乳劑層、中間層、及保護層，並進行乾燥處理。如此，可在光穿透性基材上形成厚度0.1μm的銀圖案。該銀圖案，為具有與穿透圖稿A1相同的線寬之銀圖案。
    藉由與實施例1相同之方法，於與上述所得之銀圖案為相反側的面之光穿透性基材上設置物理顯影核層，然後依序塗佈中間層、鹵化銀乳劑層、及保護層。將如此製作之銀鹽感光材料，與圖像成為穿透圖稿B1的鏡像之穿透圖稿B6，以使先前得到之銀圖案所具有之連接部的中心點15與穿透圖稿B6所具有之連接部的中心點15呈一致，且與大格子的連接部成為如第9圖(e)所示者，未連接於大格子之部分成為如第9圖(f)所示者之方式，以銷針予以固定並密著，並以水銀燈作為光源的密著印表機，經由將僅讓254nm的光穿透之光予以濾除之光學濾光片來進行曝光。
    然後，在20℃中浸漬於上述擴散轉印顯影液中60秒之後，接著在40℃的溫水中進行水洗以去除鹵化銀乳劑層、中間層、及保護層，並進行乾燥處理。如此，可得到在光穿透性基材的相反面側具有與先前所設置之銀圖案為不同的銀圖案(厚度0.1μm)之光穿透性電極5。該圖案為具有與穿透圖稿B6相同線寬之銀圖案。所得之光穿透性電極5的辨識性，與光穿透性電極1相同，完全無法看到電極圖案。此外，本實施例之包括網目狀導電部之大格子，與具有細線的一部分呈斷線而無法形成電性導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，係與實施例1相同。
    1‧‧‧光穿透性基材
    1a‧‧‧光穿透性基材
    1b‧‧‧光穿透性基材
    2‧‧‧黏著劑層
    3‧‧‧光穿透性導電材料
    3a‧‧‧光穿透性導電材料
    3b‧‧‧光穿透性導電材料
    4‧‧‧形成構成單位格子之正方形的邊之細線部
    5‧‧‧斷線之細線部
    6‧‧‧非導電部
    11‧‧‧大格子
    12‧‧‧連接部
    13‧‧‧連結2個大格子的中心點之線
    14‧‧‧大格子的中心點
    15‧‧‧連接部的中心點
    16‧‧‧連接格子
    17、17a、17b‧‧‧鄰接格子
    18、19‧‧‧鄰接之大格子間的距離
    20‧‧‧單位格子
    21‧‧‧由大格子與連接部所包圍之空白部分
    31‧‧‧斷線格子
    51‧‧‧斷線部
    52‧‧‧正方形部分
    53‧‧‧正方形部分
    61、71、72‧‧‧導電部
    171、172、173、174、175、176‧‧‧鄰接格子
    100、100a、100b、100c、100d‧‧‧光穿透性電極
    第1圖(a)至(c)係顯示將2片光穿透性導電材料重疊所製作出之本發明的光穿透性電極所具有之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(a)顯示一方的光穿透性導電材料所具有之大格子與連接部之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(b)顯示另一方的光穿透性導電材料所具有之大格子與連接部之重複電極圖案的一例之圖，第1圖(c)顯示將具有第1圖(a)與第1圖(b)的電極圖案之光穿透性導電材料，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖。
    第2圖(a)係顯示將第1圖(a)的一部分擴大之圖，第2圖(b)顯示將第1圖(b)的一部分擴大之圖，第2圖(c)顯示將第2圖(a)與第2圖(b)的電極圖案，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖，第2圖(d)顯示將複數個單位格子擴大之圖，第2圖(e)顯示第2圖(a)的連接部之圖，第2圖(f)顯示第2圖(b)的連接部之圖，第2圖(g)顯示將第1圖(c)的一部分擴大之圖。
    第3圖(a)係顯示將斷線格子設置在第2圖(c)的電極圖案之一例之圖，第3圖(b)顯示將斷線格子設置在第2圖(a)的電極圖案之一例之圖，第3圖(c)顯示由用以得到第3圖(a)的電極圖案之2個大格子所構成之電極圖案的一例之圖，第3圖(d)顯示將斷線格子設置在第2圖(a)的電極圖案之其他例子之圖，第3圖(e)顯示將斷線格子設置在第2圖(b)的電極圖案之一例之圖，第3圖(f)顯示由用以得到第3圖(a)的電極圖案之2個大格子所構成之電極圖案的其他例子之圖，第3圖(g)顯示將斷線格子設置在第2圖(b)的電極圖案之其他例子之圖。
    第4圖係擴大顯示由斷線格子所構成之非導電部之圖。
    第5圖(a)係顯示將鄰接格子設置在第2圖(a)的電極圖案之一例之圖，第5圖(b)係顯示將鄰接格子設置在第2圖(b)的電極圖案之一例之圖，第5圖(c)顯示將第5圖(a)與第5圖(b)的電極圖案，使連接部的中心大致呈一致地重疊之圖，第5圖(d)係擷取第5圖(a)的連接部來擴大顯示之圖。
    第6圖(a)至(c)係顯示將斷線格子分別設置在第5圖(a)至(c)的電極圖案之一例之圖。
    第7圖(a)至(c)係顯示光穿透性導電材料為2片之本發明之光穿透性電極的3個不同例子的概略剖面之圖。
    第8圖係顯示光穿透性導電材料為1片之本發明之光穿透性電極的一例之概略剖面圖。
    第9圖係顯示實施例1的電極圖案，第9圖(a)及第9圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第9圖(c)及第9圖(d)顯示大格子與連接部未形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第9圖(e)係擴大顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖，第9圖(f)係擴大顯示大格子與連接部未形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第10圖係顯示實施例2的電極圖案，第10圖(a)及第10圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第10圖(c)顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第11圖係顯示實施例3的電極圖案，第11圖(a)及第11圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第11圖(c)及第11圖(d)顯示大格子與連接部未形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第11圖(e)顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖，第11圖(f)顯示大格子與連接部未形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第12圖係顯示實施例4的電極圖案，第12圖(a)及第12圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第12圖(c)及第12圖(d)顯示大格子與連接部未形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第12圖(e)顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖，第12圖(f)顯示大格子與連接部未形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第13圖係顯示比較例1的電極圖案，第13圖(a)及第13圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第13圖(c)及第13圖(d)顯示大格子與連接部未形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第13圖(e)顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖，第13圖(f)顯示大格子與連接部未形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第14圖係顯示比較例2的電極圖案，第14圖(a)及第14圖(b)顯示大格子與連接部形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第14圖(c)及第14圖(d)顯示大格子與連接部未形成電性連接之部分的電極圖案之一例之圖，第14圖(e)顯示大格子與連接部形成電性連接之電極圖案的一例之圖，第14圖(f)顯示大格子與連接部未形成電性連接之電極圖案的一例之圖。
    第15圖係說明斷線的程度之圖，第15圖(a)顯示無斷線部之網目狀電極圖案之圖，第15圖(b)至(d)顯示斷線程度不同之網目狀電極圖案的其他例子之圖。
    第16圖係說明斷線的程度之圖。
    理由：須用整個圖式[第3圖(a)至(g)]才能顯示完整技術特徵。
    11‧‧‧大格子
    12‧‧‧連接部
    31‧‧‧斷線格子
    权利要求:
    Claims (6)
    [1] 一種光穿透性電極，係將2片光穿透性導電材料重疊而製作者，該光穿透性導電材料係在光穿透性基材的單面上具有：包括網目狀導電部之大格子、以及具有至少1個連接格子且將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部，2片光穿透性導電材料係使各個連接部的中心大致呈一致地重疊，且至少一方的光穿透性導電材料在相當於前述重疊而製作時之光穿透性電極的連接部內及/或由大格子與連接部所包圍之部分的位置，具有使細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子。
    [2] 一種光穿透性電極，係在光穿透性基材的雙面上具有：包括網目狀導電部之大格子、以及具有至少1個連接格子且將鄰接之大格子間予以電性連接之連接部，其使一方的面所具有之連接部的中心與另一方的面所具有之連接部的中心大致呈一致地配置，且在相當於至少一方的面上之連接部內及/或由大格子與連接部所包圍之部分的位置，具有使細線的一部分斷線而無法形成電性導通之斷線格子。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之光穿透性電極，其中，上述2片光穿透性導電材料所具有之各個連接部的大小為不同，且大小不同之連接部的形狀呈大致相似形狀。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之光穿透性電極，其中，光穿透性基材之一方的面與另一方的面所具有之連接部的大小為不同，且大小不同之連接部的形狀呈大致相似形狀。
    [5] 如申請專利範圍第1或2項所述之光穿透性電極，其中，上述包括網目狀導電部之大格子、與具有細線的一部分斷線而無法形成導通之斷線格子之非導電部之開口率的差，為1%以內。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項所述之光穿透性電極，其中，上述大格子是由複數個單位格子所構成，該單位格子的細線間隔為斷線格子的細線間隔之80至120%。
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    同族专利:
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    US20140332262A1|2014-11-13|
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